平板探測(cè)器可應(yīng)用于NDT行業(yè)的所有領(lǐng)域，重量約3.5kg，可選擇防護(hù)殼保護(hù)超輕的平板，免受硬射線損傷，同時(shí)有助于方便地固定在管子等被檢測(cè)物上進(jìn)行在線檢測(cè)。

 

　　不同材料的夾層屏蔽來(lái)自硬射線的電子，數(shù)字平板一次可以安全的用于現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)和固定檢測(cè)，甚至硬射線，比如同位素應(yīng)用。

 

　　平板探測(cè)器從能量轉(zhuǎn)換的方式可以分為兩種：間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器和直接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器。

　　間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器：由碘化銫等閃爍晶體涂層與薄膜晶體管或電荷耦合器件或互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成。間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器的工作過(guò)程一般分為兩步，首先閃爍晶體涂層將X線的能量轉(zhuǎn)換成可見(jiàn)光；其次TF T或者C CD，或C MO S將可見(jiàn)光轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。由于在這過(guò)程中可見(jiàn)光會(huì)發(fā)生散射，對(duì)空間分辨率產(chǎn)生一定的影響。雖然新工藝中將閃爍體加工成柱狀以提高對(duì)X線的利用及降低散射，但散射光對(duì)空間分辨率的影響不能*消除。

　　直接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器：主要由非晶硒層T FT構(gòu)成。入射的X射線使硒層產(chǎn)生電子空穴對(duì)，在外加偏壓電場(chǎng)作用下，電子和空穴對(duì)向相反的方向移動(dòng)形成電流，電流在薄膜晶體管中形成儲(chǔ)存電荷。每一個(gè)晶體管的儲(chǔ)存電荷量對(duì)應(yīng)于入射X射線的劑量，通過(guò)讀出電路可以知道每一點(diǎn)的電荷量，進(jìn)而知道每點(diǎn)的X線劑量。由于非晶硒不產(chǎn)生可見(jiàn)光，沒(méi)有散射線的影響，因此可以獲得比較高的空間分辨率。